首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据，仅供参考，实际以国家知识产权局展示为准

硅太阳能电池片的背电场结构

实用新型专利无效专利

申请号：
CN201020548044.5
IPC分类号：H01L31/0224
申请日期：
2010-09-29
申请人：
常州天合光能有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	硅太阳能电池片的背电场结构
申请号	CN201020548044.5	申请日期	2010-09-29
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/0224 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L 51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L 27/00）〔2，6，8〕 H01L31/02 零部件〔2〕 H01L31/0224 电极〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;0;2;2;4查看分类表>
申请人	常州天合光能有限公司	申请人地址	江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	常州天合光能有限公司	当前权利人	常州天合光能有限公司
发明人	程亮
代理机构	常州市维益专利事务所	代理人	王凌霄

摘要

本实用新型涉及一种硅太阳能电池片的背电场结构，该背电场的四个边角为圆弧连接，通过本设计显著降低了烧结过程中产生的应力，减少甚至消除了脱落。实践证明：运用这个设计后背场印刷质量得到有效提高，背场小边角脱落比例大大降低，由0.76％降低至0.08％。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供