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具有源极场板和非交叠栅极导板层的晶体管

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201711441944.2
  • IPC分类号:H01L29/40;H01L29/778
  • 申请日期:
    2017-12-27
  • 申请人:
    德克萨斯仪器股份有限公司
著录项信息
专利名称具有源极场板和非交叠栅极导板层的晶体管
申请号CN201711441944.2申请日期2017-12-27
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2018-07-10公开/公告号CN108269844A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/40IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;4;0;;;H;0;1;L;2;9;/;7;7;8查看分类表>
申请人德克萨斯仪器股份有限公司申请人地址
美国德克萨斯州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人德克萨斯仪器股份有限公司当前权利人德克萨斯仪器股份有限公司
发明人H·友松;S·彭德哈卡尔;H·山崎
代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司代理人徐东升;赵蓉民
摘要
本申请涉及具有源极场板和非交叠栅极导板层的晶体管。晶体管器件(100)包括从源极导板层(102)和/或源极接触层(132)延伸的场板(108)。该场板可以与栅极导板层共面和/或在栅极导板层下面。栅极导板层(104)被栅极桥(135)排布成远离栅极金属层(134)正上方的区域,使得场板能够在栅极金属层正上方延伸而不被栅极导板层干扰。在与源极导板层或源极接触层共面的情况下,场板靠近沟道区域(124)定位,这有助于减小其寄生电容。通过使金属栅极层和场板竖直地交叠,所公开的HEMT器件可以实现显著的尺寸效率,而无需额外的布线。

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