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一种新型碳化硅沟槽式绝缘栅双极晶体管

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN202020458163.5
  • IPC分类号:H01L29/10;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/739
  • 申请日期:
    2020-04-01
  • 申请人:
    成都蓉矽半导体有限公司
著录项信息
专利名称一种新型碳化硅沟槽式绝缘栅双极晶体管
申请号CN202020458163.5申请日期2020-04-01
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/10
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;1;0;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;9;/;7;3;9查看分类表>
申请人成都蓉矽半导体有限公司申请人地址
四川省成都市高新区天府大道中段1366号2栋9楼12-18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人成都蓉矽半导体有限公司当前权利人成都蓉矽半导体有限公司
发明人戴茂州;高巍;廖运健
代理机构北京华夏正合知识产权代理事务所(普通合伙)代理人韩登营
摘要
本实用新型提出了一种新型碳化硅沟槽式绝缘栅双极晶体管,包括:第一导电类型的碳化硅衬底;具有与该第一导电类型相反电性的第二导电类型的漂移区,设置于该衬底上;具有第二导电类型的电流分布层设置于该漂移区上;具有第一导电类型的第一阱区设置于该电流分布层上;具有第二导电类型的第二阱区设置于第一阱区上;具有第一导电类型的基区设置于第二阱区上;具有第二导电类型的第一接触源极区设置于基区并且与该发射极接触区相邻但相隔开;该发射极接触区、第一接触源极区与第二接触源极区;多个沟槽形成于基区并垂直延伸至漂移区中;栅极,设置于衬底上方相应的每一个沟槽中,包括于相应沟槽内的侧壁形成栅极绝缘层,并以多晶硅填充。

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