一种氮化镓基红光外延片结构及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202011320275.5
IPC分类号：H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00
申请日期：
2020-11-23
申请人：
重庆康佳光电技术研究院有限公司

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专利名称	一种氮化镓基红光外延片结构及其制备方法
申请号	CN202011320275.5	申请日期	2020-11-23
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-09-28	公开/公告号	CN113451461A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/06 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/02 以半导体为特征的〔2010.01〕 H01L33/04 具有一个量子效应结构或超晶格，例如隧道结〔2010.01〕 H01L33/06 在发光区中，例如量子限制结构或隧道势垒〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;0;6;;;H;0;1;L;3;3;/;3;2;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	重庆康佳光电技术研究院有限公司	申请人地址	重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号(1号厂房) 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	重庆康佳光电技术研究院有限公司	当前权利人	重庆康佳光电技术研究院有限公司
发明人	周毅;张青洲;黄国栋;杨顺贵;翟小林
代理机构	深圳市君胜知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	刘芙蓉;王永文

摘要

本发明涉及一种氮化镓基红光外延片结构及其制备方法，包括衬底结构及生长在所述衬底结构上的有源区发光层，所述有源区发光层包括：由量子阱层、富In层及垒层依次层叠设置的超晶格结构，所述富In层中In的含量大于所述量子阱层中In的含量。通过采用GaN基生长红光LED，在InGaN/GaN量子阱中插入富In层，使波长达到红光波段，可以在厚度上与蓝光LED及绿光LED保持在同一水平。同时，可以更好的将电子与空穴局域在量子阱中，从而提升发光效率。

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