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等离子体处理装置及其反馈控制方法、高频电力供给方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200910129116.4
  • IPC分类号:H01L21/00;H05H1/24;H01J37/32
  • 申请日期:
    2009-03-25
  • 申请人:
    东京毅力科创株式会社;国立大学法人东北大学
著录项信息
专利名称等离子体处理装置及其反馈控制方法、高频电力供给方法
申请号CN200910129116.4申请日期2009-03-25
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2010-03-03公开/公告号CN101661871
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/00IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;0;0;;;H;0;5;H;1;/;2;4;;;H;0;1;J;3;7;/;3;2查看分类表>
申请人东京毅力科创株式会社;国立大学法人东北大学申请人地址
日本东京都 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人东京毅力科创株式会社,国立大学法人东北大学当前权利人东京毅力科创株式会社,国立大学法人东北大学
发明人小林聪树;杉山正树;加藤充男;广江昭彦;大见忠弘;平山昌树
代理机构北京尚诚知识产权代理有限公司代理人龙淳
摘要
本发明提供一种等离子体处理装置及其反馈控制方法、高频电力供给方法。微波等离子体处理装置(10)包括:处理容器(100);在处理容器内设置的、载置基板(G)的基座(105);在设置在基座(105)的同一圆周上的3个位置(P1~P3)处与基座接触的3根供电棒(B1~B3);和与3根供电棒(B1~B3)连接,且经3根供电棒(B1~B3)从3个以上的位置(P1~P3)向基座(105)供给高频电力的高频电源(130)。在基座(105)的同一圆周上的3个位置(P)处3根供电棒(B1~B3)与基座(105)接触。高频电源(130)与3根供电棒(B1~B3)连接,将从高频电源(130)输出的高频电力经3根供电棒(B)从3个位置(P1~P3)供给到基座(105)。

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