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高压半导体元件

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410383690.3
  • IPC分类号:H01L29/78H01L29/06
  • 申请日期:
    2014-08-06
  • 申请人:
    旺宏电子股份有限公司
著录项信息
专利名称高压半导体元件
申请号CN201410383690.3申请日期2014-08-06
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-02-17公开/公告号CN105336780A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H01L29/78;H01L29/06查看分类表>
申请人旺宏电子股份有限公司申请人地址
中国台湾新竹科学工业园区力行路*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人旺宏电子股份有限公司当前权利人旺宏电子股份有限公司
发明人詹景琳;林正基;吴锡垣
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人任岩
摘要
本发明公开了一种高压半导体元件。高压半导体元件包括一P型基板、一高压N型阱(HVNW)、一第一P型阱、一漂移区(driftregion)以及一P型掺杂层。高压N型阱形成于P型基板中。第一P型阱形成于高压N型阱中,第一P型阱的一底部相距P型基板的一表面具有一第一深度。漂移区形成于高压N型阱中,其中漂移区是自P型基板的表面向下延伸。P型掺杂层形成于P型基板中,P型掺杂层的一底部相距P型基板的表面具有一第二深度,其中第二深度大于第一深度,且P型掺杂层形成于位于第一P型阱和漂移区之下的一区域中。

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