加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

高品质因数低介电常数微波介电陶瓷BaLiBiW2O9

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201510265915.X
  • IPC分类号:C04B35/495;C04B35/622
  • 申请日期:
    2015-05-24
  • 申请人:
    桂林理工大学
著录项信息
专利名称高品质因数低介电常数微波介电陶瓷BaLiBiW2O9
申请号CN201510265915.X申请日期2015-05-24
法律状态驳回申报国家暂无
公开/公告日2015-09-09公开/公告号CN104891992A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/495IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;4;9;5;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;2查看分类表>
申请人桂林理工大学申请人地址
广西壮族自治区桂林市建干路12号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人桂林理工大学当前权利人桂林理工大学
发明人相怀成;唐莹;王丹
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明公开了一种可低温烧结的温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷BaLiBiW2O9及其制备方法。(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的BaCO3、Li2CO3、Bi2O3和WO3的原始粉末按BaLiBiW2O9的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为蒸馏水,烘干后在750℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在800~850℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在850℃以下烧结良好,介电常数达到29.1~29.7,其品质因数Qf值高达83000-112000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供