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半导体发光元件

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200780024794.3
  • IPC分类号:H01L33/00;H01L21/3065
  • 申请日期:
    2007-04-30
  • 申请人:
    三菱化学株式会社
著录项信息
专利名称半导体发光元件
申请号CN200780024794.3申请日期2007-04-30
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2009-08-19公开/公告号CN101512783
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;3;0;6;5查看分类表>
申请人三菱化学株式会社申请人地址
日本东京 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人三菱化学株式会社当前权利人三菱化学株式会社
发明人堀江秀善
代理机构北京三友知识产权代理有限公司代理人丁香兰
摘要
本发明提供一种倒装芯片安装型的半导体发光元件,该发光元件可以进行蓝色或紫外发光,功率高,效率高,并且光取出面的明亮度均一性高。该半导体发光元件在透明的基板(21)上具有薄膜结晶层、第二导电型侧电极(27)、第一导电型侧电极(28),光取出方向为基板侧,电极(28)和电极(27)在空间上不重叠且形成在光取出方向的相反侧,薄膜结晶层的侧壁面与基板(21)端相比向后退,绝缘层从离开基板面端的位置开始覆盖内侧,将薄膜结晶层的侧面被覆,并与第一导电型侧电极的光取出方向侧的一部分相接,覆盖第二导电型侧电极的光取出方向的相反侧的一部分,用于提高射出的光的均一性的光均一化层设置在基板和第一导电型半导体层之间。

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