加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

一种半导体器件、集成电路及它们的制造方法和电子装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201210276375.1
  • IPC分类号:H01L29/423;H01L29/78
  • 申请日期:
    2012-08-06
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
著录项信息
专利名称一种半导体器件、集成电路及它们的制造方法和电子装置
申请号CN201210276375.1申请日期2012-08-06
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2014-02-12公开/公告号CN103579316A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/423IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人刘金华
代理机构北京市磐华律师事务所代理人董巍;高伟
摘要
本发明提供一种半导体器件、集成电路及它们的制造方法和电子装置,涉及半导体技术领域。该半导体器件,包括半导体衬底,以及形成于半导体衬底上的栅氧化层和栅极,所述栅氧化层包括两部分,分别为位于栅极的宽度边缘区域的第一部分栅氧化层和位于栅极的中间区域的第二部分栅氧化层,其中,所述第一部分栅氧化层的厚度大于所述第二部分栅氧化层的厚度。本发明的集成电路,使用了上述半导体器件。本发明还提供了该半导体器件和集成电路的制造方法,以及使用该集成电路的电子装置。本发明可以有效减小半导体器件、集成电路中的器件尤其是内核器件的窄沟道效应,提高半导体器件、使用该半导体器件的集成电路及使用该集成电路的电子装置的性能。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供