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PMOS器件叠层结构的制备和栅功函数调节方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201110046360.1
  • IPC分类号:H01L21/28;H01L21/336
  • 申请日期:
    2011-02-25
  • 申请人:
    中国科学院微电子研究所
著录项信息
专利名称PMOS器件叠层结构的制备和栅功函数调节方法
申请号CN201110046360.1申请日期2011-02-25
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2012-08-29公开/公告号CN102651313A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/28IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人中国科学院微电子研究所申请人地址
北京市朝阳区北土城西路3号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院微电子研究所当前权利人中国科学院微电子研究所
发明人徐秋霞;李永亮
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人周长兴
摘要
一种PMOS器件叠层结构的制备和栅功函数的调节方法,在完成常规的LOCOS或STI介质隔离后,用快速热氧化或化学法在半导体衬底上生长超薄界面氧化层或氮氧化层;淀积高介电常数(K)栅介质,接着快速热退火;淀积复合金属栅;淀积势垒金属层;淀积多晶硅膜和硬掩模,然后进行光刻和硬掩膜的刻蚀;去胶后,依次刻蚀多晶硅膜/势垒金属层/金属栅/高K介质/界面氧化层形成多晶硅膜/势垒金属层/金属栅/高K栅介质叠层结构。然后进行常规的侧墙形成、源/漏注入及快速热退火,在完成源/漏杂质激活的同时,实现了PMOS器件金属栅有效功函数的调节。

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