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双沟槽隔离结构的形成方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201110218574.2
  • IPC分类号:H01L21/762
  • 申请日期:
    2011-08-01
  • 申请人:
    上海宏力半导体制造有限公司
著录项信息
专利名称双沟槽隔离结构的形成方法
申请号CN201110218574.2申请日期2011-08-01
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2011-12-14公开/公告号CN102280405A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/762IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;2查看分类表>
申请人上海宏力半导体制造有限公司申请人地址
上海市张江高科技园区祖冲之路1399号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司当前权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人高超
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)代理人郑玮
摘要
一种双沟槽隔离结构的形成方法包括:提供包括衬底硅,掩埋绝缘层和顶层硅的绝缘体上硅,在所述的顶层硅上依次形成衬垫层,硬掩膜层和第二掩膜层;以图案化第二掩膜层为掩膜,刻蚀硬掩膜层至暴露出衬垫层,形成第二开口;去除第二掩膜层,在所述硬掩膜层上以及第二开口内形成第一掩膜层,以所述第一掩膜层为掩膜,刻蚀硬掩膜层、衬垫层和部分顶层硅至设定深度,形成第二开口,第一开口区域与第二开口区域部分重叠;去除所述第一掩膜层;继续刻蚀所述第一开口暴露出的顶层硅至掩埋绝缘层,形成第一沟槽,第二开口也同时被刻蚀,暴露出衬垫层和顶层硅,形成第二沟槽。所述方法避免了在形成第一沟槽和第二沟槽之后,第一沟槽和第二沟槽重叠区域的掩埋绝缘层被刻穿的缺陷。

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