功率半导体模块

发明专利有效专利

申请号：
CN201811253311.3
IPC分类号：H01L23/31;H01L23/488;H01L23/498
申请日期：
2018-10-25
申请人：
株式会社日立功率半导体

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	功率半导体模块
申请号	CN201811253311.3	申请日期	2018-10-25
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-05-07	公开/公告号	CN109727932A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/31 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/28 封装，例如密封层、涂覆物（H01L 23/552优先）〔2，5〕 H01L23/31 按配置特点进行区分的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;8;;;H;0;1;L;2;3;/;4;9;8查看分类表>
申请人	株式会社日立功率半导体	申请人地址	日本茨城县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社日立功率半导体	当前权利人	株式会社日立功率半导体
发明人	川村大地;增田彻;楠川顺平;樱井直树
代理机构	北京银龙知识产权代理有限公司	代理人	陈彦;马铁军

摘要

提供功率半导体模块，在绝缘基板下产生空隙时抑制电晕放电、提高绝缘性。以硬钎焊料(8‑2)的端部(8‑2e)与绝缘基板(2)侧面的下方延长线之间距离为a，以助焊剂(11)的软钎焊料(9‑2)侧的端部(11e)与绝缘基板(2)侧面的下方延长线之间距离为b，则a小于b。软钎焊料(9‑2)的端部位置被助焊剂(11)限制，硬钎焊料(8‑2)的绝缘基板(2)的侧面一侧端部(8‑2e)的位置，相比于软钎焊料(9‑2)的绝缘基板(2)侧面一侧的端部位置，更接近绝缘基板(2)侧面一侧。即使硬钎焊料(8‑2)与软钎焊料(9‑2)之间产生空隙，因硬钎焊料(8‑2)及软钎焊料(9‑2)同为接地电势而抑制电晕放电。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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