使用磁芯存储器的熔丝数据存储系统

发明专利无效专利

申请号：
CN200580033533.9
IPC分类号：G11C16/04;G06F13/28;G06F13/36
申请日期：
2005-07-25
申请人：
爱特梅尔股份有限公司

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著录项信息

专利名称	使用磁芯存储器的熔丝数据存储系统
申请号	CN200580033533.9	申请日期	2005-07-25
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2007-10-10	公开/公告号	CN101053040
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C16/04 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C16/00 可擦除可编程序只读存储器（G11C 14/00优先）〔5〕 G11C16/02 电可编程序的〔5〕 G11C16/04 使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS〔5〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;6;/;0;4;;;G;0;6;F;1;3;/;2;8;;;G;0;6;F;1;3;/;3;6查看分类表>
申请人	爱特梅尔股份有限公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	爱特梅尔公司	当前权利人	爱特梅尔公司
发明人	J·孙;王立琦;M·V·乐;P·S·吴
代理机构	北京律盟知识产权代理有限责任公司	代理人	孟锐

摘要

用于配置非易失性串行存储器磁芯(51)所使用的辅助电路(81)的熔丝数据被存储在存储器磁芯中的位置(54)上。当第一操作码或字通过串行总线(61)发送至存储器时，逻辑电路(67、75、77)截取该字并且在第一命令位的最后位到达之前产生取得熔丝数据和配置辅助电路的读出熔丝启用脉冲。如果指定读出操作，则存储器电路被配置成读出。如果指定写入操作，则从存储器磁芯取得其它熔丝数据，以配置用于写入的辅助电路。熔丝数据可在电路制造过程中写入至存储器磁芯，从而消除了分开存储位置的需要。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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