首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据，仅供参考，实际以国家知识产权局展示为准

导电部件形成和结构

发明专利有效专利

申请号：
CN201811292809.0
IPC分类号：H01L21/768;H01L21/8234;H01L23/532;H01L27/088
申请日期：
2018-11-01
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	导电部件形成和结构
申请号	CN201811292809.0	申请日期	2018-11-01
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2019-06-04	公开/公告号	CN109841565A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/768 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/70 由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K 3/00，H05K 13/00）〔2〕 H01L21/71 限定在组H01L 21/70中的器件的特殊部件的制造（H01L 21/28，H01L 21/44，H01L 21/48优先）〔6〕 H01L21/768 利用互连在器件中的分离元件间传输电流〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;3;4;;;H;0;1;L;2;3;/;5;3;2;;;H;0;1;L;2;7;/;0;8;8查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	张正伟;黄鸿仪;王俊杰;林钰庭;洪敏修
代理机构	北京德恒律治知识产权代理有限公司	代理人	章社杲;李伟

摘要

通常，本发明实施例提供了涉及诸如金属接触件、通孔、线等的导电部件的示例实施例以及用于形成这些导电部件的方法。在方法实施例中，在半导体衬底上形成介电层。半导体衬底具有源极/漏极区。形成穿过介电层至源极/漏极区的开口。通过相同的等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)工艺在源极/漏极区上形成硅化物区，并且沿着介电层的侧壁在开口中形成阻挡层。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供