一种集成电路用具有抗压防爆功能的二极管壳体

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202121335178.3
IPC分类号：H01L23/367;H01L23/00
申请日期：
2021-06-16
申请人：
深圳市大联大半导体有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种集成电路用具有抗压防爆功能的二极管壳体
申请号	CN202121335178.3	申请日期	2021-06-16
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/367 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/34 冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置〔2，5〕 H01L23/36 为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器〔2〕 H01L23/367 为便于冷却的器件造型〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;3;6;7;;;H;0;1;L;2;3;/;0;0查看分类表>
申请人	深圳市大联大半导体有限公司	申请人地址	广东省深圳市龙岗区龙城街道爱联社区新丰路6号台中工业区A4栋商洲创意园218 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳市大联大半导体有限公司	当前权利人	深圳市大联大半导体有限公司
发明人	黄道勇;何深芳
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本实用新型公开了一种集成电路用具有抗压防爆功能的二极管壳体，包括安装底座和设置于安装底座顶端的筒体，在筒体的外壁两侧分别平行设置第一加强环和第二加强环，第一加强环和第二加强环的侧壁间分别均匀间隔固定连接加强杆，且筒体的外壁上对应加强杆处分别均匀设置缓冲凸块，缓冲凸块为弹性材料所制成的构件，当外界物体对筒体产生挤压破坏时，第一加强环和第二加强环对物体进行阻隔，加强杆受压迫后变形对缓冲凸块造成挤压冲击，利用缓冲凸块的挤压破坏力进行缓冲吸收，避免其对筒体造成挤压破坏，安全可靠。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供