一种富Zn晶胚诱导二次生长制备ZnO分级纳米结构的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201610220691.5
IPC分类号：C23C16/40;C01G9/03
申请日期：
2016-04-11
申请人：
中国石油大学（华东）

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专利名称	一种富Zn晶胚诱导二次生长制备ZnO分级纳米结构的方法
申请号	CN201610220691.5	申请日期	2016-04-11
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2016-08-10	公开/公告号	CN105836791A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C16/40 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C16/00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积（CVD）工艺（反应溅射或真空蒸发入C23C 14/00）〔4〕 C23C16/22 以沉积金属材料以外之无机材料为特征的〔4〕 C23C16/30 沉积化合物、混合物或固溶体，例如硼化物、碳化物、氮化物〔4〕 C23C16/40 氧化物〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;6;/;4;0;;;C;0;1;G;9;/;0;3查看分类表>
申请人	中国石油大学（华东）	申请人地址	山东省青岛市黄岛区长江西路66号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国石油大学（华东）	当前权利人	中国石油大学（华东）
发明人	燕友果;张军;周丽霞;刘冰;孙晓丽;牛氓
代理机构	青岛联智专利商标事务所有限公司	代理人	尚欣

摘要

本发明公开了一种富Zn晶胚诱导二次生长制备ZnO分级纳米结构的方法，以高纯度的Zn、ZnO和活性炭的混合粉末作为原料，通入高纯载气和高纯氧气的混合气体，加热原料，使高温原料在低温衬底上进行气相沉积反应得到。本发明是基于自催化生长原理的富Zn晶胚诱导二次生长制备ZnO分级纳米结构的设计方法，在ZnO纳米带上实现了纳米链的组装，对高结晶无污染分级纳米结构的制备具有重要的意义。

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