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一种以聚硅硼氮烷为添加剂的硅硼碳氮陶瓷的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201611016929.9
  • IPC分类号:C04B35/58;C04B35/634
  • 申请日期:
    2016-11-16
  • 申请人:
    哈尔滨工业大学
著录项信息
专利名称一种以聚硅硼氮烷为添加剂的硅硼碳氮陶瓷的制备方法
申请号CN201611016929.9申请日期2016-11-16
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2017-03-22公开/公告号CN106518087A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/58IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;5;8;;;C;0;4;B;3;5;/;6;3;4查看分类表>
申请人哈尔滨工业大学申请人地址
黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人哈尔滨工业大学当前权利人哈尔滨工业大学
发明人杨治华;梁斌;贾德昌;段小明;周玉
代理机构北京天奇智新知识产权代理有限公司代理人范光晔
摘要
本发明提供了一种以聚硅硼氮烷为添加剂的硅硼碳氮陶瓷的制备方法,属于硅硼碳氮陶瓷制备方法技术领域。步骤一、按摩尔比和质量百分比称取立方硅粉、六方氮化硼粉、石墨粉和PBSZ作为原料备用;步骤二、将步骤一称取的原料装入球磨罐中,在氩气气氛保护下进行高能球磨即获得含有非晶Si‑B‑C‑N的陶瓷粉末;其中球料质量比为10~90:1,磨球直径为5~9mm,球磨时间为10~60h;步骤三、将步骤二获得的非晶Si‑B‑C‑N陶瓷粉末与PBSZ混合,在氩气气氛保护下进行球磨即获得SiBCN复合粉末;其中球料比为1~20:1,磨球直径为5~9mm,球磨时间为10~30h;步骤四、将步骤三获得的SiBCN复合粉末进行放电等离子烧结即获得以PBSZ为添加剂的Si‑B‑C‑N陶瓷材料。

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