保护晶片正面结构及进行晶片切割的方法

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专利名称	保护晶片正面结构及进行晶片切割的方法
申请号	CN200710084933.3	申请日期	2007-02-16
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2008-08-20	公开/公告号	CN101244613
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B28D5/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B2 成型 B28 加工水泥、黏土或石料 B28D 加工石头或类似石头的材料（采矿或采石用的机械或方法入E21C） B28D5/00 宝石、宝石饰物、结晶体的精细加工，例如半导体材料的精加工；所用设备（磨削或抛光加工入B24；用于艺术目的加工入B44B；用非机械方法的入C04B 41/00；单晶的非机械方法后处理入C30B 33/00）〔3〕	IPC分类号	B;2;8;D;5;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;3;0;4查看分类表>
申请人	探微科技股份有限公司	申请人地址	中国台湾桃园县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	探微科技股份有限公司	当前权利人	探微科技股份有限公司
发明人	陈至贤
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	陶凤波

摘要

本发明揭露一种保护晶片正面结构及进行晶片切割的方法。首先提供晶片，该晶片的一正面设有多个元件，接着在该晶片的正面形成保护层，然后利用第一黏着层将晶片固定于切割载具，之后进行晶片切割工艺，以形成多个管芯，最后移除该第一黏着层以及该保护层，以分离所述管芯供后续封装之用。其中该保护层为水溶性胶。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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