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具有结晶晶界相的自增强氮化硅陶瓷及制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN92101118.0
  • IPC分类号:--
  • 申请日期:
    1992-02-18
  • 申请人:
    陶氏化学公司
著录项信息
专利名称具有结晶晶界相的自增强氮化硅陶瓷及制备方法
申请号CN92101118.0申请日期1992-02-18
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日1992-09-09公开/公告号CN1064261
优先权暂无优先权号暂无
主分类号暂无IPC分类号暂无查看分类表>
申请人陶氏化学公司申请人地址
美国密执安 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人陶氏化学公司当前权利人陶氏化学公司
发明人C·J·黄;A·J·皮兹克
代理机构中国国际贸易促进委员会专利代理部代理人徐汝巽
摘要
说明书公开了一种高断裂韧性和高强度的充分致密的,自增强的氮化硅陶瓷体,该陶瓷体包括(a)平均纵横比为至少2.5的晶须形式的β-氮化硅,以及(b)一种氮氧化合物磷灰石结构的结晶态晶界相(用X射线结晶学测得)。一种制备上述的氮化硅陶瓷体的工艺,该工艺包括热压一种粉末混合物,该粉末混合物包括氮化硅,氧化硅,一种致密助剂,转化助剂及一种可加强β-氮化硅晶须生长的化合物,在这样的工艺条件下产生了致密化、高纵横比的β-氮化硅晶须,然后退火充分长的时间,以产生具有氮氧化合物磷灰石结构的结晶态晶界相。

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