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LTE频段功放保护模块

实用新型专利无效专利
  • 申请号:
    CN201220406802.9
  • IPC分类号:H03F1/52
  • 申请日期:
    2012-08-17
  • 申请人:
    北京汉铭通信有限公司
著录项信息
专利名称LTE频段功放保护模块
申请号CN201220406802.9申请日期2012-08-17
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H03F1/52IPC分类号H;0;3;F;1;/;5;2查看分类表>
申请人北京汉铭通信有限公司申请人地址
北京市海淀区清河火车站东路9号院内3016室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北京裕源大通科技股份有限公司当前权利人北京裕源大通科技股份有限公司
发明人孙玉静;杨建明
代理机构北京恒都律师事务所代理人邸建凯
摘要
本实用新型公开了一种LTE频段功放保护模块,包括由射频输入与射频输出构成的射频电路,以及组成射频电路的元器件,所述元器件包括一比较器,及与比较器连接的MCU,及设置于比较器输入端的电流检测芯片,以及与比较器输出端连接的开关,所述开关控制功率放大器栅压,所述功率放大器漏极还与电流检测芯片相连,所述开关与MCU连接,受MCU控制;本实用新型主要采用针对LTE频段(2320MHz-2370MHz),对LDMOS功放管漏压的检测,以门限的方式保护功放不超过其最大工作电流,避免因输入信号过大,功放自激,环境因素引起的功放损坏,以增强功放系统的稳定及可靠性。

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