一种单晶生长热系统的煅烧处理方法及其装置

发明专利无效专利

申请号：
CN201010259638.9
IPC分类号：C30B15/00
申请日期：
2010-08-23
申请人：
上海卡姆丹克太阳能科技有限公司;卡姆丹克太阳能（江苏）有限公司

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专利名称	一种单晶生长热系统的煅烧处理方法及其装置
申请号	CN201010259638.9	申请日期	2010-08-23
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2010-12-15	公开/公告号	CN101914807A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B15/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B15/00 熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法（在保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;5;/;0;0查看分类表>
申请人	上海卡姆丹克太阳能科技有限公司;卡姆丹克太阳能（江苏）有限公司	申请人地址	上海市南汇区南汇工业园区园迪路16号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海卡姆丹克太阳能科技有限公司,卡姆丹克太阳能（江苏）有限公司	当前权利人	上海卡姆丹克太阳能科技有限公司,卡姆丹克太阳能（江苏）有限公司
发明人	施承启;李海波;胡如权;张永超
代理机构	上海伯瑞杰知识产权代理有限公司	代理人	季申清

摘要

本发明涉及加工太阳能硅电池的单晶生长炉领域的技术。一种单晶炉热系统的煅烧处理方法，其特征在于：一种专用煅烧容器，具有可开启和密闭的容器门，煅烧容器内部空间尺寸大于包括石墨器件、保温层的单晶炉热系统外形尺寸；专用煅烧容器内部周壁为电加热方式加热，加热温度为1600-2000℃，容器内煅烧时为真空状态，冷态真空度小于等于达1Ｐa；单晶炉热系统以整套或拆散方式放置在专用煅烧容器内煅烧。本发明相应提供了一种单晶生长热系统的煅烧处理的装置。由此，本发明首创改变只能在单晶炉中加热煅烧单晶炉热系统的处理方法，另外专制供煅烧处理单晶炉热系统的装置；煅烧零部件更加灵活机动，提高煅烧处理效果和效率，节省能源。

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