能高速读出数据且工作稳定的薄膜磁性体存储装置

发明专利无效专利

申请号：
CN02126168.7
IPC分类号：G11C11/15;G11C8/00;G11C7/00
申请日期：
2002-07-09
申请人：
三菱电机株式会社

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著录项信息

专利名称	能高速读出数据且工作稳定的薄膜磁性体存储装置
申请号	CN02126168.7	申请日期	2002-07-09
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2003-03-12	公开/公告号	CN1402253
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C11/15 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C11/00 以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件（G11C 14/00至G11C 21/00优先）〔5〕 G11C11/02 应用磁性元件的 G11C11/14 应用薄膜元件的 G11C11/15 应用多层磁性层的（G11C 11/155优先）〔2〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;1;/;1;5;;;G;1;1;C;8;/;0;0;;;G;1;1;C;7;/;0;0查看分类表>
申请人	三菱电机株式会社	申请人地址	日本神奈川县川崎市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	瑞萨电子株式会社	当前权利人	瑞萨电子株式会社
发明人	日高秀人
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	杨凯;王忠忠

摘要

对应于选择列的两条互补的位线BL、/BL，经由被选择的MTJ存储单元与假存储单元DMC各一个下拉至接地电压，同时经由读出驱动器选择门RCDG上拉至电源电压。对应于选择列的读出门RG，以与其所对应的两条互补位线的电压相应的驱动力，分别驱动两条互补的读出数据总线RDB、/RDB。数据读出电路51R，基于两条互补的读出数据总线的电压差进行数据读出。电源电压，基于对MTJ存储单元的隧道绝缘膜可靠性的考虑加以确定。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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