具有高密度管芯至管芯连接的半导体封装及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201680025551.0
IPC分类号：H01L21/56;H01L21/683;H01L21/768;H01L23/00;H01L23/31;H01L23/538;H01L25/00;H01L25/065;H01L25/10
申请日期：
2016-05-03
申请人：
高通股份有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	具有高密度管芯至管芯连接的半导体封装及其制造方法
申请号	CN201680025551.0	申请日期	2016-05-03
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-01-26	公开/公告号	CN107636813A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/56 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/50 应用H01L 21/06至H01L 21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的〔2〕 H01L21/56 封装，例如密封层、涂层〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;5;6;;;H;0;1;L;2;1;/;6;8;3;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;3;/;0;0;;;H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;3;/;5;3;8;;;H;0;1;L;2;5;/;0;0;;;H;0;1;L;2;5;/;0;6;5;;;H;0;1;L;2;5;/;1;0查看分类表>
申请人	高通股份有限公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	高通股份有限公司	当前权利人	高通股份有限公司
发明人	H·B·蔚;D·W·金;J·S·李
代理机构	上海专利商标事务所有限公司	代理人	唐杰敏;陈炜

摘要

根据本公开的一些示例的半导体封装可包括：具有嵌入在基板中的桥的基板、耦合至该基板的第一管芯和第二管芯、以及基板中的将桥耦合至第一管芯和第二管芯的多个导电桥互连。该多个导电桥互连可具有：直接耦合至该桥的第一桥接触层、在第一桥接触层上的第一焊料层、在第一焊料层上的第二桥接触层、在第二桥接触层上的第二焊料层、以及直接耦合至第一管芯和第二管芯中的一者的管芯接触层，其中该多个导电桥互连被嵌入在基板中。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供