基于超材料的反射器

发明专利有效专利

申请号：
CN201110099307.8
IPC分类号：H01Q15/00;H01Q15/14;G02B5/12
申请日期：
2011-04-20
申请人：
深圳光启高等理工研究院;深圳光启创新技术有限公司

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引证文献

著录项信息

专利名称	基于超材料的反射器
申请号	CN201110099307.8	申请日期	2011-04-20
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-10-24	公开/公告号	CN102751577A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01Q15/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01Q 天线（微波加热用辐射器或天线入H05B6/72） H01Q15/00 用于对天线辐射波进行反射、折射、绕射或极化的装置，例如准光学装置（用于改变方向性的可变装置入H01Q 3/00；用于引导电波的此种装置的构成入H01P 3/20；用于调制的可变装置入H03C 7/02）〔1，2006.01〕	IPC分类号	H;0;1;Q;1;5;/;0;0;;;H;0;1;Q;1;5;/;1;4;;;G;0;2;B;5;/;1;2查看分类表>
申请人	深圳光启高等理工研究院;深圳光启创新技术有限公司	申请人地址	广东省深圳市南山区高新区中区高新中一道9号软件大厦变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳光启高等理工研究院,深圳光启创新技术有限公司	当前权利人	深圳光启高等理工研究院,深圳光启创新技术有限公司
发明人	刘若鹏;季春霖;栾琳;蒋楠楠
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明实施例涉及一种基于超材料的反射器，包括：具有发散电磁波功能的超材料和设置在所述超材料一侧表面上的反射层。该超材料存在一区域，该区域内的超材料的介电常数ε与磁导率μ的乘积最小，区域外的超材料的介电常数ε与磁导率μ的乘积从两侧向该区域方向连续减小。该反射器根据改变折射率在超材料中的分布，可达到改变电磁波的传播路径的目的，本发明的反射器制造工艺简单、成本较低且具有较高的精确度。

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