一种宽阻带频率选择副反射面

发明专利有效专利

申请号：
CN201910499377.9
IPC分类号：H01Q15/16;H01Q15/00
申请日期：
2019-06-11
申请人：
中国电子科技集团公司第五十四研究所

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著录项信息

专利名称	一种宽阻带频率选择副反射面
申请号	CN201910499377.9	申请日期	2019-06-11
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-11-01	公开/公告号	CN110401041A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01Q15/16 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01Q 天线（微波加热用辐射器或天线入H05B6/72） H01Q15/00 用于对天线辐射波进行反射、折射、绕射或极化的装置，例如准光学装置（用于改变方向性的可变装置入H01Q 3/00；用于引导电波的此种装置的构成入H01P 3/20；用于调制的可变装置入H03C 7/02）〔1，2006.01〕 H01Q15/14 反射面；等效结构 H01Q15/16 二度空间弯曲的，例如抛物面	IPC分类号	H;0;1;Q;1;5;/;1;6;;;H;0;1;Q;1;5;/;0;0查看分类表>
申请人	中国电子科技集团公司第五十四研究所	申请人地址	河北省石家庄市中山西路589号天伺部变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国电子科技集团公司第五十四研究所	当前权利人	中国电子科技集团公司第五十四研究所
发明人	贾丹;何应然;董长胜;韩国栋;高志明;武彦飞;刘磊
代理机构	河北东尚律师事务所	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种宽阻带频率选择副反射面，包括副反射面主体，副反射面主体的外表面覆盖有保护层，位于保护层的内侧为包覆副反射面主体的金属层或者位于保护层的内侧为包覆副反射面主体凹面的金属层或者位于保护层的内侧为包覆副反射面主体凸面的金属层，在金属层上刻蚀留出有多组用于提高阻带降敏的频选结构组，频选结构组均布在金属层表面，每个频选结构组由三个频选结构单元组成，频选结构单元为成环形延伸且延伸过程中成周期性迂回弯曲状的环形金属线，频选结构组的三个频选结构单元的中心连线为等边三角形。本发明宽阻带频率选择副反射面具有宽阻带的优点，该发明的阻带更宽，且具有对入射角度不敏感的优势。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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