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基于宽禁带a-SiOx及低温SiO2钝化的背接触N型电池的制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201210038591.2
  • IPC分类号:H01L31/18
  • 申请日期:
    2012-02-21
  • 申请人:
    上海超日太阳能科技股份有限公司
著录项信息
专利名称基于宽禁带a-SiOx及低温SiO2钝化的背接触N型电池的制备方法
申请号CN201210038591.2申请日期2012-02-21
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2013-08-21公开/公告号CN103258901A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/18IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人上海超日太阳能科技股份有限公司申请人地址
上海市奉贤区南桥镇江海经济园区 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人协鑫集成科技股份有限公司当前权利人协鑫集成科技股份有限公司
发明人高华;汪建强;王博;谢卿;徐蛟
代理机构上海世贸专利代理有限责任公司代理人叶克英
摘要
本发明涉及基于宽禁带a-SiOx及低温SiO2钝化的背接触N型电池的制备方法,其特征在于:以N型硅片作为电池片的衬底,进行以下步骤,对硅片衬底清洗制绒;以三氯氧磷为扩散源对硅片衬底扩散,使形成N+/N前表面场;对硅片衬底进行二次清洗;在硅片衬底采用湿法的方式形成SiO2/a-SiNx叠层结构;在硅片衬底正面沉积a-SiOx/a-SiNx层;丝网印刷背面电极;经烧结,形成硅电池板。本发明的优点:加工工艺简单快速,成本低廉,易于兼容现有工艺的电池技术,并具有极佳的钝化效果,大大提升光电转换率,提高电池使用性能。

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