一种用于半导体芯片真空焊接或退火用的真空设备

发明专利有效专利

申请号：
CN202011304949.2
IPC分类号：H01L21/67
申请日期：
2020-11-20
申请人：
北京仝志伟业科技有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种用于半导体芯片真空焊接或退火用的真空设备
申请号	CN202011304949.2	申请日期	2020-11-20
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2020-12-18	公开/公告号	CN112103225A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/67 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/67 专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;7查看分类表>
申请人	北京仝志伟业科技有限公司	申请人地址	北京市朝阳区将台路5号院5号楼二层2046室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京仝志伟业科技有限公司	当前权利人	北京仝志伟业科技有限公司
发明人	赵永先;张延忠;邓燕
代理机构	北京佐行专利代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	暂无

摘要

本发明涉及一种用于半导体芯片真空焊接或退火用的真空设备，包括真空舱和真空舱上盖，还包括平移机构，所述平移机构与真空舱上盖连接，可驱动真空舱上盖相对真空舱水平移动；升降机构，所述升降机构与真空舱上盖连接，可驱动真空舱上盖相对真空舱上下移动。本发明真空舱上盖可相对真空舱升降移动、水平移动，开关门不占用投入口位置，更加方便机器人自动上料，产品可垂直自动投入，可以增大真空舱内焊接区顶部空间，方便机器人或者机械手自动上下料，有效解决重载产品水平投入容易造成治具载台划伤等问题。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供