首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据，仅供参考，实际以国家知识产权局展示为准

半导体装置的形成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010024867.6
IPC分类号：H01L21/8234
申请日期：
2020-01-10
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体装置的形成方法
申请号	CN202010024867.6	申请日期	2020-01-10
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2020-10-27	公开/公告号	CN111834298A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/8234 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/70 由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K 3/00，H05K 13/00）〔2〕 H01L21/77 在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）〔6，2006.01，2017.01〕 H01L21/78 把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L 21/304）〔2，6〕 H01L21/82 制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路〔2〕 H01L21/822 衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L 21/8258优先）〔6〕 H01L21/8232 场效应工艺〔6〕 H01L21/8234 MIS工艺〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;8;2;3;4查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	吴旭升;刘昌淼;尚慧玲
代理机构	隆天知识产权代理有限公司	代理人	谢强;黄艳

摘要

一种半导体装置的形成方法包括形成虚置栅极堆叠于半导体基板之上，虚置栅极堆叠具有虚置栅极电极及虚置栅极介电层；形成间隔物元件于虚置栅极堆叠的侧壁之上；部分移除虚置栅极电极以形成凹槽；部分移除间隔物元件以扩大凹槽；移除虚置栅极电极的余留部分以露出虚置栅极介电层；在移除虚置栅极电极的余留部分之后掺杂间隔物元件；移除虚置栅极介电层；以及形成金属栅极堆叠于凹槽之中。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供