不导电基底的金属化方法和由此形成的金属化的不导电基底

发明专利无效专利

申请号：
CN200410081715.0
IPC分类号：--
申请日期：
2004-12-30
申请人：
罗姆和哈斯电子材料有限责任公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	不导电基底的金属化方法和由此形成的金属化的不导电基底
申请号	CN200410081715.0	申请日期	2004-12-30
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2005-07-13	公开/公告号	CN1637167
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	罗姆和哈斯电子材料有限责任公司	申请人地址	美国马萨诸塞变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	罗姆和哈斯电子材料有限责任公司	当前权利人	罗姆和哈斯电子材料有限责任公司
发明人	T·J·佩雷特
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	蔡胜有

摘要

公开了金属化不导电基底的方法。该方法包括：(a)提供不导电基底，该基底具有暴露的不导电表面；(b)在该不导电表面上形成过渡金属层；和(c)使该过渡金属层暴露于包含6个或更多碳原子的化合物的液体溶液，且该化合物选自一种或多种膦酸和它们的盐，和磷酸的单酯和它们的盐的化合物。该不导电基底可以是例如光纤。此外公开了通过本发明的方法制备的金属化的不导电基底和金属化的光纤，以及包含这种金属化的光纤的光电子封装。可以在光电子产业中在光纤的金属化和形成密封光电子器件封装中得到具体的应用。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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