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一种熔石英光学元件表面Sol-gel减反射膜层清洗方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202011568122.2
  • IPC分类号:C03C23/00;G01B11/06;G01B21/30;G01N21/31;G01N21/59;G01N21/65;G01Q60/24
  • 申请日期:
    2020-12-25
  • 申请人:
    中国人民解放军国防科技大学
著录项信息
专利名称一种熔石英光学元件表面Sol-gel减反射膜层清洗方法
申请号CN202011568122.2申请日期2020-12-25
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-05-07公开/公告号CN112759280A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C03C23/00IPC分类号C;0;3;C;2;3;/;0;0;;;G;0;1;B;1;1;/;0;6;;;G;0;1;B;2;1;/;3;0;;;G;0;1;N;2;1;/;3;1;;;G;0;1;N;2;1;/;5;9;;;G;0;1;N;2;1;/;6;5;;;G;0;1;Q;6;0;/;2;4查看分类表>
申请人中国人民解放军国防科技大学申请人地址
湖南省长沙市开福区砚瓦池正街47号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国人民解放军国防科技大学当前权利人中国人民解放军国防科技大学
发明人宋辞;石峰;钟曜宇;田野;张坤;铁贵鹏;薛帅;林之凡
代理机构湖南兆弘专利事务所(普通合伙)代理人谭武艺
摘要
本发明涉及强激光光学元件加工技术,公开了一种熔石英光学元件表面Sol‑gel减反射膜层清洗方法,实施步骤包括:测量待清洗样品表面Sol‑gel减反射膜的膜层厚度h;使用玻璃夹具对待清洗样品进行装夹;将待清洗元件连同玻璃夹具装入离子束机床工作腔内;将离子束机床工作腔抽真空,然后通入惰性气体;对待清洗样品进行一次惰性气体离子束干法清洗工艺去除待清洗样品表面膜层厚度h的Sol‑gel减反射膜层。本发明工艺流程简单、可操作性强、能保证清除熔石英表面Sol‑gel减反射膜层,并确保在清洗的过程中改善表面质量,不产生含放射性污染的含氚废液。

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