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薄膜晶体管数组基板的制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201110115366.X
IPC分类号：H01L21/77;H01L29/786
申请日期：
2011-05-05
申请人：
福州华映视讯有限公司;中华映管股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	薄膜晶体管数组基板的制造方法
申请号	CN201110115366.X	申请日期	2011-05-05
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日	2011-10-05	公开/公告号	CN102208365A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/77 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/70 由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K 3/00，H05K 13/00）〔2〕 H01L21/77 在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）〔6，2006.01，2017.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;7;7;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;6查看分类表>
申请人	福州华映视讯有限公司;中华映管股份有限公司	申请人地址	福建省福州市马尾区科技园区兴业路1号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	福州华映视讯有限公司,中华映管股份有限公司	当前权利人	福州华映视讯有限公司,中华映管股份有限公司
发明人	言维邦;邱羡坤;廖展章;徐朝焕
代理机构	福州元创专利商标代理有限公司	代理人	蔡学俊

摘要

本发明涉及一种薄膜晶体管数组基板的制作方法，该制造方法仅需使用两道光罩制程即可完成薄膜晶体管数组的制作，其中利用第一道光罩制程界定出薄膜晶体管的源极及漏极的图案及曝露的介电层，并利用第二道光罩制程界定出透明导电层的配置。本发明的薄膜晶体管数组基板的制作方法可大幅地降低用于制作光罩的成本，且可简化整体制程的步骤。

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