氮化物半导体基板及制法和使用该基板的氮化物半导体装置

发明专利无效专利

申请号：
CN01811392.3
IPC分类号：H01S5/02;H01S5/323;H01L21/00;H01L33/00
申请日期：
2001-06-19
申请人：
日亚化学工业株式会社

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著录项信息

专利名称	氮化物半导体基板及制法和使用该基板的氮化物半导体装置
申请号	CN01811392.3	申请日期	2001-06-19
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2003-09-10	公开/公告号	CN1441982
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/02 基本上不涉及激光作用的结构零件或组件〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;0;2;;;H;0;1;S;5;/;3;2;3;;;H;0;1;L;2;1;/;0;0;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	日亚化学工业株式会社	申请人地址	日本德岛县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	日亚化学工业株式会社	当前权利人	日亚化学工业株式会社
发明人	小崎德也;清久裕之;蝶蝶一幸;前川仁志
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	陈长会

摘要

一种氮化物半导体基板，包括：(a)支承基板，(b)具有周期性T字形横剖面的第一氮化物半导体层，其系于支承基板上自周期性设置的条纹状、格栅状或岛状部分成长，及(c)覆盖该支承基板的第二氮化物半导体基板，其系自该第一氮化物半导体层的上表面及侧面成长，其中在第二氮化物半导体层的下方形成空穴。将具有周期性设置的条纹状、格栅状或岛状孔隙的保护层形成于支承基板上。第一氮化物半导体层自基板的暴露部分横向成长。在第一氮化物半导体层覆盖支承基板之前停止成长。因此，第一氮化物半导体层具有周期性的T字形横剖面。然后将保护层移除，及使第二氮化物半导体层自第一氮化物半导体层的上表面及侧面成长，以覆盖基板。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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