场效应晶体管

发明专利有效专利

申请号：
CN201610281369.3
IPC分类号：--
申请日期：
2016-04-29
申请人：
三菱电机株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	场效应晶体管
申请号	CN201610281369.3	申请日期	2016-04-29
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-11-09	公开/公告号	CN106098757A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	三菱电机株式会社	申请人地址	日本东京变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三菱电机株式会社	当前权利人	三菱电机株式会社
发明人	野上洋一;堀口健一;东坂范雄;渡边伸介;北野俊明
代理机构	北京天昊联合知识产权代理有限公司	代理人	何立波;张天舒

摘要

得到一种场效应晶体管，该场效应晶体管能够有效地抑制由与高温RF动作时的本征载流子密度增大相伴的损耗增大所引起的RF特性变差。多个源极电极(6)及多个漏极电极(7)彼此交替地配置，与半导体衬底(1)的主面欧姆接合。多个栅极电极(8)分别配置在多个源极电极(6)和多个漏极电极(7)之间，与半导体衬底(1)的主面肖特基接合。多个漏极电极(7)分别具有彼此被分割开的第1及第2部分(7a、7b)。漏极电极(7)的第1及第2部分(7a、7b)的合计电极宽度比一根源极电极(6)的宽度窄。肖特基电极(13)配置在漏极电极(7)的第1部分(7a)和第2部分(7b)之间，与半导体衬底(1)的主面肖特基接合。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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