一种铁电二维场效应晶体管及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110488620.4
IPC分类号：H01L29/51;H01L29/24;H01L29/78;H01L21/34
申请日期：
2021-05-06
申请人：
南京邮电大学

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专利名称	一种铁电二维场效应晶体管及其制备方法
申请号	CN202110488620.4	申请日期	2021-05-06
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-08-03	公开/公告号	CN113206149A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/51 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/40 按其电极特征区分的〔2〕 H01L29/43 以形成材料为特征的〔6〕 H01L29/49 金属绝缘体半导体电极〔6〕 H01L29/51 与其相关的绝缘材料〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;5;1;;;H;0;1;L;2;9;/;2;4;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;4查看分类表>
申请人	南京邮电大学	申请人地址	江苏省南京市栖霞区文苑路9号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南京邮电大学	当前权利人	南京邮电大学
发明人	普勇;韩伟博;杨家驹;郭欣蕾;钮伟;魏陆军
代理机构	南京纵横知识产权代理有限公司	代理人	董成

摘要

本发明提供一种铁电二维场效应晶体管及其制备方法，晶体管包括由下至上依次为底部金电极层、铁电衬底层、沟道层、钛层、顶部金电极层和包覆层，所述底部金电极层用作底栅，所述顶部金电极层用作源极、漏极和顶栅，所述包覆层用于防止器件氧化，所述铁电衬底层用于施加门电压改变沟道层电子掺杂浓度。本发明利用铁电衬底层和沟道层的界面效应，通过加门电压的方式，使得铁电衬底层产生极化，通过不同极化方向来调控沟道的电子掺杂浓度，从而改变沟道层的电阻大小，可使铁电场效应晶体管实现‘导通’和‘断开’的两种状态，对应于器件的低电阻态和高电阻态。由于铁电衬底极化具有非易失性，这种器件存在记忆性，可以实现新型非易失铁电二维存储器。

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