一种电场可调磁电信息存储器件及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110553600.0
IPC分类号：H01L43/08;H01L43/10;H01L43/14;G11C11/16
申请日期：
2021-05-20
申请人：
安徽工业大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种电场可调磁电信息存储器件及其制备方法
申请号	CN202110553600.0	申请日期	2021-05-20
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-08-24	公开/公告号	CN113299823A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L43/08 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L43/00 应用电—磁或者类似磁效应的器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备（由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2〕 H01L43/08 磁场控制的电阻器〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;4;3;/;0;8;;;H;0;1;L;4;3;/;1;0;;;H;0;1;L;4;3;/;1;4;;;G;1;1;C;1;1;/;1;6查看分类表>
申请人	安徽工业大学	申请人地址	安徽省马鞍山市湖东路59号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	安徽工业大学	当前权利人	安徽工业大学
发明人	陈立明;周健;丁健翔;张晓;丁宽宽;张凯歌;徐凯;孙正明
代理机构	合肥顺超知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	徐文恭

摘要

本发明涉及信息存储技术技术领域，尤其涉及一种电场可调磁电信息存储器件及其制备方法，该电场可调磁电信息存储器件是由铁磁金属氧化物LSMO、铁电体BTO、半导体氧化物为n型掺杂NSTO组成的电控磁存储器器件。本发明通过优异的制备方法来制备出铁磁和铁电性质薄膜的层状异质结，通过界面处电荷之间有效的耦合，可以增强其多铁特性，实现存储器件开、关的调控，通过外加电场方向进而改变铁电极极化反转方向决定了电阻在开态(低阻态)和关态(高阻态)之间的切换，本发明工艺具有制备工艺简单、非破坏性、高密度、高速率、低能耗、与半导体产业兼容性好等优点，具有良好的信息存储的功能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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