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应用于压接型MOSFET的栅极结构

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201821186545.6
IPC分类号：H01L25/07;H01L23/48
申请日期：
2018-07-25
申请人：
清华大学

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	应用于压接型MOSFET的栅极结构
申请号	CN201821186545.6	申请日期	2018-07-25
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L25/07 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L25/00 由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件（在一共用基片内或其上形成的由多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；光伏电池的光伏模块或者阵列入H01L 31/042）〔5〕 H01L25/03 所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件〔5，8〕 H01L25/04 不具有单独容器的器件〔2014.01〕 H01L25/07 包含在H01L 29/00组类型的器件〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;5;/;0;7;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8查看分类表>
申请人	清华大学	申请人地址	北京市海淀区清华园变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	清华大学	当前权利人	清华大学
发明人	陈政宇;曾嵘;赵彪;余占清;刘佳鹏;周文鹏
代理机构	北京知联天下知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	王冲;吴鑫

摘要

一种应用于压接型MOSFET的栅极结构，包括第一铜块，压接型MOSFET，栅极连接件，接收外部栅极控制信号的连接接口，第二铜块，与所述压接型MOSFET栅极接触的棒状金属，用于所述棒状金属与所述栅极连接件连接的弹性结构，所述栅极连接件与所述第二铜块之间的绝缘介质。使用对MOSFET散热路径无阻隔作用的上述栅极结构，能够提升散热能力，同时简化压装结构。

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