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沟槽隔离结构及其制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201811020350.9
  • IPC分类号:H01L21/762
  • 申请日期:
    2018-09-03
  • 申请人:
    长鑫存储技术有限公司
著录项信息
专利名称沟槽隔离结构及其制作方法
申请号CN201811020350.9申请日期2018-09-03
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-03-10公开/公告号CN110875238A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/762IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;2查看分类表>
申请人长鑫存储技术有限公司申请人地址
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人长鑫存储技术有限公司当前权利人长鑫存储技术有限公司
发明人不公告
代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)代理人罗泳文
摘要
本发明提供一种沟槽隔离结构及其制作方法,结构包括:衬底,衬底中具有沟槽;绝缘介质层,包括填充于沟槽的第一绝缘部以及凸出于衬底顶面的第二绝缘部,第二绝缘部包括上部的凸起部以及位于凸起部及第一绝缘部之间的凸起连接部;侧壁保护部,覆盖于述第二绝缘部的凸起部的侧壁;以及侧壁延伸部,覆盖于第二绝缘部的凸起连接部的侧壁;侧壁保护部与绝缘介质层具有不同材质。本发明通过设置支撑层使得沟槽隔离结构的绝缘介质具有凸出于衬底的凸起部,并通过对该凸起部的周侧形成侧壁延伸部及侧壁保护部,侧壁保护部与绝缘介质的材质不同而具有较高的刻蚀选择比,从而可以对绝缘介质进行保护,减小或者避免绝缘介质的侧腐蚀。

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