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一种制作半导体器件的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201310520112.5
  • IPC分类号:H01L21/763
  • 申请日期:
    2013-10-29
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
著录项信息
专利名称一种制作半导体器件的方法
申请号CN201310520112.5申请日期2013-10-29
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2015-04-29公开/公告号CN104576505A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/763IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;3查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人陈勇
代理机构北京市磐华律师事务所代理人董巍;高伟
摘要
本发明公开了一种制作半导体器件的方法,包括:提供半导体衬底;在所述半导体衬底上依次形成垫氧化层和垫氮化硅层;图案化所述氮化硅层、垫氧化层和部分的半导体衬底,以形成浅沟槽;在所述垫氮化物层和所述浅沟槽的底部以及侧壁上形成硅种子层;在所述浅沟槽中填充HARP氧化物层;执行退火工艺以致密化所述HARP氧化物层。根据本发明的制造工艺在形成HARP氧化物之前在浅沟槽中先形成一层硅种子层可以避免在采用退火工艺处理半导体器件之后使得硅的关键尺寸缩小的问题,同时还可以优化半导体衬底中浅沟槽的形态,增强后续步骤中形成的浅沟槽顶角的圆滑效果,也有利于后续对浅沟槽的填充。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供