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一种大尺寸二维三硒化二铟晶体的制备方法及其应用

发明专利有效专利

申请号：
CN202010247224.8
IPC分类号：C30B23/00;C30B29/46;C30B29/64
申请日期：
2020-03-31
申请人：
河南师范大学

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种大尺寸二维三硒化二铟晶体的制备方法及其应用
申请号	CN202010247224.8	申请日期	2020-03-31
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2020-07-28	公开/公告号	CN111455456A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B23/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B23/00 冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;3;/;0;0;;;C;3;0;B;2;9;/;4;6;;;C;3;0;B;2;9;/;6;4查看分类表>
申请人	河南师范大学	申请人地址	河南省新乡市牧野区建设东路46号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	河南师范大学	当前权利人	河南师范大学
发明人	夏从新;李睿智;苏健;白浩博;王瑞奇;闫勇;宋孝辉;耿振铎
代理机构	新乡市平原智汇知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	路宽

摘要

本发明公开了一种大尺寸二维三硒化二铟晶体的制备方法及其应用，将纯净的In2Se3粉末放于石英舟中，置于双温区管式炉石英管中，用干净的云母作为生长衬底置于双温区管式炉石英管的另一侧，使用物理气相沉积的方法在云母衬底上制备出大尺寸二维三硒化二铟晶体，制得的In2Se3原子晶体具有良好的铁电性，在铁电记忆存储器件中有重要应用。本发明制备过程操作方法简单且制备成本低廉。

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