首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

半导体装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910635931.1
  • IPC分类号:H01L29/739H01L29/06
  • 申请日期:
    2019-07-15
  • 申请人:
    株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
著录项信息
专利名称半导体装置
申请号CN201910635931.1申请日期2019-07-15
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-09-29公开/公告号CN111725308A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/739
?
IPC结构图谱:
IPC分类号H01L29/739;H01L29/06查看分类表>
申请人株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请人地址
日本*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人株式会社东芝,东芝电子元件及存储装置株式会社当前权利人株式会社东芝,东芝电子元件及存储装置株式会社
发明人末代知子;岩鍜治阳子
代理机构永新专利商标代理有限公司代理人刘杰
摘要
一种半导体装置,具备半导体部,包含第一导电型的第一层,具有第一面及相反侧的第二面;第一面上的第一电极;设置在第一电极与半导体部间的第一控制电极;设置在第一电极与半导体部间、与第一控制电极独立地被施加偏压的第二控制电极;设置在第二面侧的第三控制电极;设置在第二面上的第二电极。半导体部包含选择性地设置在第一层与第一电极间的第二导电型的第二层;选择性地设置在第二层与第一电极间的第一导电型的第三层;设置在第二电极及第三控制电极与第一层间的第一导电型的第四层;设置在第四层与第二电极间的第二导电型的第五层;至少一部分设置在第五层与第二电极间的第一导电型的第六层。第三控制电极与第五层的一部分相对。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供