一种复合层式半导体级石英坩埚

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201821804914.3
IPC分类号：C03C3/06;C03B20/00
申请日期：
2018-11-02
申请人：
宁夏富乐德石英材料有限公司

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专利名称	一种复合层式半导体级石英坩埚
申请号	CN201821804914.3	申请日期	2018-11-02
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C03C3/06 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C03 玻璃；矿棉或渣棉 C03C 玻璃、釉或搪瓷釉的化学成分；玻璃的表面处理；由玻璃、矿物或矿渣制成的纤维或细丝的表面处理；玻璃与玻璃或与其他材料的接合 C03C3/00 玻璃组成（玻璃配合料组成入C03C 6/00）〔4〕 C03C3/04 含二氧化硅〔4〕 C03C3/06 用大于90（重量）的二氧化硅，如石英	IPC分类号	C;0;3;C;3;/;0;6;;;C;0;3;B;2;0;/;0;0查看分类表>
申请人	宁夏富乐德石英材料有限公司	申请人地址	宁夏回族自治区银川市西夏区光明西路23号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司	当前权利人	宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司
发明人	王建军;李常国;李杰;何玉鹏
代理机构	宁夏合天律师事务所	代理人	孙彦虎

摘要

一种复合层式半导体级石英坩埚，包括石英坩埚本体、第一保护层、第二保护层、第三保护层、第四保护层，石英坩埚本体剖面呈U型设置，在石英坩埚本体表面由内至外依次设置了第一保护层、第二保护层、第三保护层、第四保护层，第一保护层相对现有技术的微气泡层更厚，实现石英坩埚生产半导体级硅棒，本实用新型在石英坩埚本体表面设置有第一保护层和第三保护层，呈双微气泡层设置，减少了第一保护层、第三保护层中微气泡长大破裂的情形，第四保护层阻碍微气泡进入硅液中，解决了石英坩埚本体内部硅液面抖动的难题，第四保护层所含杂质含量极低，实现半导体级硅棒在拉晶过程中不析晶，解决了析晶引起半导体级硅棒结晶缺陷增高的难题。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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