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具有钝化层的半导体器件及用于制作其的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201510099304.2
IPC分类号：H01L29/02;H01L29/06;H01L21/329;H01L21/335;H01L21/336
申请日期：
2015-03-06
申请人：
英飞凌科技股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	具有钝化层的半导体器件及用于制作其的方法
申请号	CN201510099304.2	申请日期	2015-03-06
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-09-09	公开/公告号	CN104900685A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/02 按其半导体本体的特征区分的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;0;2;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;9;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;5;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人	英飞凌科技股份有限公司	申请人地址	德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	英飞凌科技股份有限公司	当前权利人	英飞凌科技股份有限公司
发明人	C.黑希特;A.卡巴科夫;J.P.康拉特;R.鲁普
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	蒋骏;胡莉莉

摘要

本发明涉及具有钝化层的半导体器件及用于制作其的方法。一种半导体器件包括具有第一表面的半导体本体、在第一表面上的接触电极、和在第一表面上与接触电极相邻并且与接触电极部分重叠的钝化层。该钝化层包括具有第一层和第二层的层堆叠，该第一层包括在第一表面上的氧化物，该第二层包括在第一层上的氮化物。

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