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用于处理基体的表面的装置和方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201180041761.6
  • IPC分类号:C23C16/455
  • 申请日期:
    2011-08-30
  • 申请人:
    BENEQ有限公司
著录项信息
专利名称用于处理基体的表面的装置和方法
申请号CN201180041761.6申请日期2011-08-30
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2013-05-01公开/公告号CN103080373A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C16/455IPC分类号C;2;3;C;1;6;/;4;5;5查看分类表>
申请人BENEQ有限公司申请人地址
芬兰万塔 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人BENEQ有限公司当前权利人BENEQ有限公司
发明人P·索伊尼宁;S·斯耐克
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所代理人张涛
摘要
本发明涉及用于根据原子层沉积方法的原理通过使基体(2)的表面(4)与至少第一起始材料(A)和第二起始材料(B)交替发生表面反应而处理基体(2)的表面(4)的装置和方法。根据本发明,通过相对于基体(2)移动源(6,7,8),将第一起始材料(A)局部地供给至基体(2)的表面(4),并且被第一起始材料(A)处理的基体(2)的表面(4)暴露于源(6,7,8)周围的气氛(1)中的第二起始材料(B)。

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