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太阳能级硅的制备方法及其微波熔炼炉

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201810796651.4
  • IPC分类号:C30B29/06;C30B28/06;C01B33/037
  • 申请日期:
    2018-07-19
  • 申请人:
    江苏斯力康科技有限公司
著录项信息
专利名称太阳能级硅的制备方法及其微波熔炼炉
申请号CN201810796651.4申请日期2018-07-19
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2018-11-16公开/公告号CN108823635A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C30B29/06IPC分类号C;3;0;B;2;9;/;0;6;;;C;3;0;B;2;8;/;0;6;;;C;0;1;B;3;3;/;0;3;7查看分类表>
申请人江苏斯力康科技有限公司申请人地址
江苏省盐城市大丰区大丰港经济区中央大道1号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人江苏斯力康科技有限公司当前权利人江苏斯力康科技有限公司
发明人羊实;庹开正
代理机构成都行之专利代理事务所(普通合伙)代理人唐邦英
摘要
本发明公开了太阳能级硅的制备方法及其微波熔炼炉,解决了现有的太阳能级硅的物理冶炼法能耗高、对于金属杂质较高的金属硅原料的提纯效果有限的问题。本发明包括以下步骤:选取金属硅、粉碎,加入造渣剂装入石英坩埚,并置于可水平旋转的微波熔炼炉中进行真空熔炼,保温熔炼过程中对微波熔炼炉进行旋转,最后分段关闭磁控管控制金属硅逐步凝固,最后将所得硅锭远离微波熔炼炉中心的端部以及与坩埚粘黏的部分去除、清洗、干燥、包装得到太阳能级硅。本发明还公开了一种用于制备上述太阳能级硅的微波熔炼炉。本发明具有制备的太阳能级硅的纯度高,能耗低等优点。

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