一种高质量二维原子层薄膜的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010194032.5
IPC分类号：C30B25/18;C30B29/46;C23C16/01;C23C16/30
申请日期：
2020-03-19
申请人：
四川大学

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著录项信息

专利名称	一种高质量二维原子层薄膜的制备方法
申请号	CN202010194032.5	申请日期	2020-03-19
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2020-06-09	公开/公告号	CN111254491A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B25/18 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B25/00 反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长〔3〕 C30B25/02 外延层生长〔3〕 C30B25/18 以衬底为特征的〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;5;/;1;8;;;C;3;0;B;2;9;/;4;6;;;C;2;3;C;1;6;/;0;1;;;C;2;3;C;1;6;/;3;0查看分类表>
申请人	四川大学	申请人地址	四川省成都市武侯区一环路南一段24号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	四川大学	当前权利人	四川大学
发明人	王泽高;任启源;叶子萌
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明提供一种高质量二维原子层薄膜的制备方法，将经过预处理的蓝宝石基片置于反应器内，通入二维原子层薄膜生长所需对应的原料蒸汽，在蓝宝石基片表面得到二维原子层薄膜；在上述产物表面上附着有机胶体，以一定角度浸入如去离子水中，使二维原子层薄膜与蓝宝石基片分离得到有机胶体/二维原子层薄膜结合体；再用目标基片将上述步骤产物取出，烘干，得到有机胶体/二维原子层薄膜/目标基片结合体；最后，用有机溶剂除去有机胶体，取出，自然干燥，得到位于目标基片上的二维原子层薄膜。本方法操作步骤简单，所得产品面积大，晶体质量高，原料成本低，主要用于半导体、太阳能电池、液晶平板显示等领域。

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