具有电容器保护层的半导体存储器件及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN00131892.6
IPC分类号：--
申请日期：
2000-09-10
申请人：
三星电子株式会社

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著录项信息

专利名称	具有电容器保护层的半导体存储器件及其制备方法
申请号	CN00131892.6	申请日期	2000-09-10
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2001-04-25	公开/公告号	CN1292571
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	三星电子株式会社	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星电子株式会社	当前权利人	三星电子株式会社
发明人	李容卓;赵学柱;金荣宽
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	陶凤波

摘要

具有电容器保护层的半导体存储器件以及制备半导体存储器件的方法。半导体存储器件的电容器被具有多层结构的密封层覆盖。密封层包括由不同材料组成的阻隔层和电容器保护层。阻隔层由能防止电容器介质层挥发和/或能防止位于阻隔层之下的材料层与电容器保护层之间反应的材料组成。电容器保护层由能防止氢扩散到电容器介质层中的材料层组成。此外，半导体存储器件可具有在电容器与钝化层之间的作为另一电容器保护层的氢阻挡层。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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