单空间模低发散角窄线宽复合光子晶体激光器

发明专利有效专利

申请号：
CN201811413062.X
IPC分类号：H01S5/10;H01S5/22;H01S5/34
申请日期：
2018-11-23
申请人：
中国科学院半导体研究所

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	单空间模低发散角窄线宽复合光子晶体激光器
申请号	CN201811413062.X	申请日期	2018-11-23
法律状态	实质审查	申报国家	暂无
公开/公告日	2019-03-01	公开/公告号	CN109412015A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/10 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/10 光学谐振腔的结构或形状〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;1;0;;;H;0;1;S;5;/;2;2;;;H;0;1;S;5;/;3;4查看分类表>
申请人	中国科学院半导体研究所	申请人地址	北京市海淀区清华东路甲35号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院半导体研究所	当前权利人	中国科学院半导体研究所
发明人	郑婉华;陈忠浩;赵少宇;周旭彦;渠红伟;齐爱谊
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	任岩

摘要

本发明公开了一种单空间模低发散角窄线宽复合光子晶体激光器，包括：一外延结构；一脊波导结构及侧向耦合光子晶体，制作于上述外延结构表面；一介质层，制作于上述脊波导结构及侧向耦合光子晶体表面，其中脊波导上的介质层需要去除，用于实现电流注入；一P型电极，制作于P型脊波导及介质层上；以及一N型电极，制作于外延结构下方；其中，外延结构中引入了光子晶体结构。该光子晶体结构在保证激光器在单模工作的同时降低器件的垂直发散角，进而提高光纤耦合效率并降低光纤耦合成本及其系统复杂性；此外，该光子晶体结构还能提高器件的单管出光功率，该激光器只需一次外延和普通光刻技术即可实现窄线宽输出，制备简单，工艺成本低。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供