半导体封装装置及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110633713.1
IPC分类号：H01L23/488;H01L21/50
申请日期：
2021-06-07
申请人：
日月光半导体制造股份有限公司

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著录项信息

专利名称	半导体封装装置及其制造方法
申请号	CN202110633713.1	申请日期	2021-06-07
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-10-15	公开/公告号	CN113506780A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/488 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/48 用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置〔2〕 H01L23/488 由焊接或黏结结构组成〔5，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;4;8;8;;;H;0;1;L;2;1;/;5;0查看分类表>
申请人	日月光半导体制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	日月光半导体制造股份有限公司	当前权利人	日月光半导体制造股份有限公司
发明人	吕文隆
代理机构	北京植德律师事务所	代理人	唐华东

摘要

本公开提供了半导体封装装置及其制造方法，通过设计半导体封装装置包括：第一基板，具有第一表面、与第一表面相对的第二表面及贯穿第一基板的容纳腔体，容纳腔体位于第二表面的底面设置有第一亲水结构层，第一亲水结构层的第一端靠近容纳腔体的第一侧面；芯片，设置于容纳腔体内，芯片非主动面设置有第二亲水结构层，芯片通过第一侧面的至少部分接触第一基板，第二亲水结构层贴合第一亲水结构层，第一亲水结构层的宽度大于第二亲水结构层的宽度的一半且小于第二亲水结构层的宽度，可在制程中将第二亲水结构层以水润湿，通过第一亲水结构层与第二亲水结构层之间水的表面张力拉动芯片，以使芯片准确定位。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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