CdS单晶纳米线太阳能电池及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201110418528.7
IPC分类号：H01G9/042;H01G9/20;H01M14/00;H01L51/46;H01L51/42;H01L51/48
申请日期：
2011-12-15
申请人：
天津大学

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著录项信息

专利名称	CdS单晶纳米线太阳能电池及其制备方法
申请号	CN201110418528.7	申请日期	2011-12-15
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-07-04	公开/公告号	CN102543465A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01G9/042 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01G 电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件（电介质专用材料的选择入H01B 3/00；电位跃迁或表面阻挡层的电容器入H01L 29/00） H01G9/00 电解电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件；其制造方法〔2〕 H01G9/004 零部件〔6〕 H01G9/04 电极〔6〕 H01G9/042 以材料为特征的（H01G 11/22优先）〔6〕	IPC分类号	H;0;1;G;9;/;0;4;2;;;H;0;1;G;9;/;2;0;;;H;0;1;M;1;4;/;0;0;;;H;0;1;L;5;1;/;4;6;;;H;0;1;L;5;1;/;4;2;;;H;0;1;L;5;1;/;4;8查看分类表>
申请人	天津大学	申请人地址	天津市南开区卫津路92号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	天津大学	当前权利人	天津大学
发明人	杜希文;宋俊国;凌涛
代理机构	天津市北洋有限责任专利代理事务所	代理人	曹玉平

摘要

本发明公开了一种CdS单晶纳米线太阳能电池，由光阳极、电解液、对电极即Pt电极组成，光阳极为垂直生长于导电玻璃基底上的CdS单晶纳米线，所述光阳极是将敏化剂与电子传输材料合二为一，光电子的产生与传输集中于CdS单晶纳米线光阳极中进行。本发明同时对现行液相合成CdS纳米线的方法进行了改进，提供了一种在导电玻璃FTO上原位生长CdS单晶纳米线的简单便捷的方法。本发明电池原理简单，设计巧妙，合成所用的原料价格便宜，整个电池的性价比高，有利于大规模的商业化生产与应用。

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