碳纳米管制备装置及方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200510100799.2
IPC分类号：C01B31/02
申请日期：
2005-10-28
申请人：
鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司

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著录项信息

专利名称	碳纳米管制备装置及方法
申请号	CN200510100799.2	申请日期	2005-10-28
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2007-05-02	公开/公告号	CN1955113
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B31/02 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B31/02 （转入C01B 32/05，C01B 32/15-C01B 32/198）	IPC分类号	C;0;1;B;3;1;/;0;2查看分类表>
申请人	鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司	申请人地址	广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	鸿富锦精密工业（深圳）有限公司,鸿海精密工业股份有限公司	当前权利人	鸿富锦精密工业（深圳）有限公司,鸿海精密工业股份有限公司
发明人	张庆州;萧博元;何纪壮
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明提供一种碳纳米管制备装置，其包括：一反应腔以及一个基底，该反应腔包括一对相对设置的进气口与排气口，其分别设在该反应腔的底部与顶部，该进气口用于通入碳源气，该基底设置在该反应腔内；一电极，其位于该反应腔内，且该电极与该基底平行，用于产生一垂直于该电极的电场，该电场方向平行于碳源气气流方向；以及至少一线圈，用于产生一垂直于该电极的磁场，且该磁场与所述电场的方向一致。本发明还提供一种利用上述装置制备碳纳米管的方法。在碳纳米管制备过程中，在该线圈上施加一电流，可产生一垂直于该电极的磁场；在该电极上施加一直流偏压，可产生一垂直于该电极的电场；在电场力及磁场力的双重引导作用下制备碳纳米管，可实现其高准直性制备。

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